MOSFET, 1 elem/chip, 11,1 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220SIS TK Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8912875

Gyártó:
Toshiba

Gyártói szám:
TK11A65W,S5X(M

EAN/GTIN:
5059041563017

Keresőfogalmak:

MOSFET N-Channel, TK1x Series, Toshiba

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	11,1 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	650 V
Csomag típusa:	TO-220SIS
Sorozat:	TK
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	390 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	3.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	35 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-30 V, +30 V
Hossz:	10mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C

További keresőfogalmak: 8912875, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Toshiba, TK11A65W,S5X(M

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 252,00*

Az ár 37 500 db-től érvényes

Megrendelések csak a 5 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.