MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PN TK Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8962369

Gyártó:
Toshiba

Gyártói szám:
TK39J60W,S1VQ(O

EAN/GTIN:
5059041695688

Keresőfogalmak:

MOSFET N-csatornás, Toshiba sorozat, TK3x sorozat

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	39 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	600 V
Csomag típusa:	TO-3PN
Sorozat:	TK
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	65 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	3.7V
Maximális teljesítménydisszipáció:	270 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-30 V, +30 V
Hossz:	15.5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C

További keresőfogalmak: teljesítmény tranzisztor, 8962369, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Toshiba, TK39J60W,S1VQ(O

Ajánlatok (2)

Raktárkészlet

Szállítás nettó

Sávos ár

Nettó ár

Raktár 4GUDN

HUF 1 500,00*

kezdő: HUF 1 570,00*

HUF 2 871,00*

HUF 1 200,00*

kezdő: HUF 1 501,00*

HUF 2 949,00*

Árak: Raktár 4GUDN

Raktárkészlet: Raktár 4GUDN

Szállítás nettó: Raktár 4GUDN

Jelenítsen meg részletesebb raktárkészlet információt.

Visszaviteli jog ezen termékre: Raktár 4GUDN

Időszak:	21 napon belül
Csomagolási állapot:	Eredeti csomagolás nincs kinyitva, sérülés nélkül
Áru állapota:	használatlan
Visszaszállítási költség:	az ügyfél fizeti
Kezelési költség:	A költségeket az egyedi eset vizsgálata után a kereskedelmi partner állapítja meg.
Az ÁSZF szerinti szavatossági idő a megadott visszaviteli jogtól függetlenül változatlan marad.

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.