MOSFET, 1 elem/chip, 272 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) NexFET Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-9009857

Gyártó:
Texas Instruments

Gyártói szám:
CSD19536KTTT

EAN/GTIN:
5059042645576

Keresőfogalmak:

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	272 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	D2PAK (TO-263)
Sorozat:	NexFET
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	2,8 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális teljesítménydisszipáció:	375 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	10.67mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 9009857, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Texas Instruments, CSD19536KTTT

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 2 068,00*

Az ár 3 000 db-től érvényes

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.