MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 100 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS 3 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-9064359

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
BSC070N10NS3GATMA1

EAN/GTIN:
5059043252711

Keresőfogalmak:

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	100 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	TDSON
Sorozat:	OptiMOS 3
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	8,6 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális teljesítménydisszipáció:	156 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	6.1mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: teljesítmény tranzisztor, 9064359, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, BSC070N10NS3GATMA1

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 2 650,10*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 10 db (kezdő: HUF 265,01* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.