MOSFET, 1 elem/chip, 15,2 A, 200 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS 3 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-9064400

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
BSC900N20NS3GATMA1

EAN/GTIN:
5059043836584

Keresőfogalmak:

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	15,2 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	200 V
Csomag típusa:	TDSON
Sorozat:	OptiMOS 3
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	90 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális teljesítménydisszipáció:	62,5 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	6.1mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: teljesítmény tranzisztor, 9064400, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, BSC900N20NS3GATMA1

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 3 293,90*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 10 db (kezdő: HUF 329,39* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.