Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > Cikk

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 Egyszeres Si


Mennyiség:  db  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Additonal Images
Cikkszám:
     4GUDN-9074741
Gyártó:
     ST Microelectronics
Gyártói szám:
     SCT30N120
EAN/GTIN:
     5059042204681
Keresőfogalmak:
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
N-csatornás Szilikon Carbide (SIC) MOSFET, STMicroelectronics. A szilícium-karbid (SIC) MOSFET-ek esetében a tápellátás az 1200 V-os fokozathoz képest rendkívül alacsony, statikus, lefolyó anyagból készült, és kiváló kapcsolási teljesítményt nyújtanak, ami a hatékonyabb és kompakt rendszerekbe való.
További információk:
Csatorna típusa:
N
Maximális folyamatos nyelőáram:
45 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:
1200 V
Csomag típusa:
HiP247
Rögzítés típusa:
Furatszerelt
Tüskék száma:
3
Maximális nyelő forrásellenállás:
100 mΩ
Csatorna mód:
Növekményes
Maximális teljesítménydisszipáció:
270 W
Tranzisztorkonfiguráció:
Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:
-10 V, +25 V
Hossz:
15.75mm
Maximális működési hőmérséklet:
+200 °C
Elemek száma chipenként:
1
Tranzisztor anyaga:
Si
További keresőfogalmak: 9074741, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, STMicroelectronics, SCT30N120
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 6 479,00*
  
Az ár 3 000 db-től érvényes
Részletes információk
Cikk megosztásaCikk hozzáadása a bevásárlólistához
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
1 db
HUF 10 125,00*
HUF 12 859,00
db-ként
kezdő: 2 db
HUF 10 032,00*
HUF 12 741,00
db-ként
kezdő: 5 db
HUF 8 801,00*
HUF 11 177,00
db-ként
kezdő: 10 db
HUF 7 814,00*
HUF 9 924,00
db-ként
kezdő: 20 db
HUF 7 593,00*
HUF 9 643,00
db-ként
kezdő: 25 db
HUF 7 552,00*
HUF 9 591,00
db-ként
kezdő: 3000 db
HUF 6 479,00*
HUF 8 228,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.