MOSFET, 1 elem/chip, 180 A, 120 V, 7-tüskés, D2PAK-7 OptiMOS 3 Egyszeres

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-9110822

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
IPB036N12N3GATMA1

EAN/GTIN:
5059043246024

Keresőfogalmak:

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	180 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	120 V
Csomag típusa:	D2PAK-7
Sorozat:	OptiMOS 3
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	7
Maximális nyelő forrásellenállás:	3,6 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	300 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	10.31mm

További keresőfogalmak: 9110822, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IPB036N12N3GATMA1

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 132 228,00*

Az ár 10 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 1 000 db (kezdő: HUF 1 132,228* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.