MOSFET, 1 elem/chip, 5,7 A, 800 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) CoolMOS™ CE Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-9140223

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
IPD80R1K0CEATMA1

EAN/GTIN:
5059043270302

Keresőfogalmak:

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	5,7 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	800 V
Csomag típusa:	DPAK (TO-252)
Sorozat:	CoolMOS™ CE
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	950 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	3.9V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2.1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	83 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-30 V, +30 V
Hossz:	6.73mm

További keresőfogalmak: 9140223, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IPD80R1K0CEATMA1

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 795,90*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 10 db (kezdő: HUF 179,59* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.