MOSFET, 1 elem/chip, 23 A, 900 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC

Wolfspeed Silicon Carbide teljesítmény MOSFET-ek. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ és C3M™ Szilícium-Carbide teljesítmény MOSFET-ek. A második generációs SIC MOSFET-ek széles választéka a Cree teljesítménytérítő Wolfspeed cégtől, amely az ágazatban kiemelkedő teljesítménysűrűséget és kapcsolási hatékonyságot biztosít. Ezek a kis kapacitású készülékek magasabb kapcsolási frekvenciákat tesznek lehetővé, és csökkentik a hűtési igényt, ami javítja a rendszer általános működési hatékonyságát. Kiemelés-mód N-csatornás SIC technológia Nagy teljesítmény, forrásonkénti meghibásodás - max. 1200 V Többféle eszköz könnyen párhuzamos és könnyen kezelhető Nagy sebességű kapcsolás, kis ellenállású Ütközésálló működés