MOSFET, 1 elem/chip, 66 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-9200745

Gyártó:
IXYS

Gyártói szám:
IXFN80N50P

EAN/GTIN:
5059041372589

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	66 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	500 V
Csomag típusa:	SOT-227
Sorozat:	HiperFET, Polar
Rögzítés típusa:	Csavaros rögzítés
Tüskék száma:	4
Maximális nyelő forrásellenállás:	65 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	700 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-30 V, +30 V
Hossz:	38.2mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C

További keresőfogalmak: 9200745, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, IXYS, IXFN80N50P

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 109 259,30*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 10 db (kezdő: HUF 10 925,93* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.