MOSFET, 1 elem/chip, 61 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-9200789

Gyártó:
IXYS

Gyártói szám:
IXFN64N50P

EAN/GTIN:
5059041375924

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	61 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	500 V
Csomag típusa:	SOT-227
Sorozat:	HiperFET, Polar
Rögzítés típusa:	Csavaros rögzítés
Tüskék száma:	4
Maximális nyelő forrásellenállás:	85 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	5.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	700 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-30 V, +30 V
Hossz:	38.23mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C

További keresőfogalmak: 9200789, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, IXYS, IXFN64N50P

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 69 509,70*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 10 db (kezdő: HUF 6 950,97* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.