MOSFET, 1 elem/chip, 5,8 A, 900 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-9206639

Gyártói szám:
STB6NK90ZT4

EAN/GTIN:
5059042252897

Keresőfogalmak:

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	5,8 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	900 V
Csomag típusa:	D2PAK (TO-263)
Sorozat:	MDmesh, SuperMESH
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	2 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	4.5V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	3V
Maximális teljesítménydisszipáció:	140 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-30 V, +30 V
Hossz:	10.4mm

További keresőfogalmak: 9206639, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, STMicroelectronics, STB6NK90ZT4

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 519 604,00*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 1 000 db (kezdő: HUF 519,604* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.