MOSFET, 1 elem/chip, 10,5 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-9208859

Gyártói szám:
STW12NK80Z

EAN/GTIN:
5059042355994

Keresőfogalmak:

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	10,5 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	800 V
Csomag típusa:	TO-247
Sorozat:	MDmesh, SuperMESH
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	750 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	4.5V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	3V
Maximális teljesítménydisszipáció:	190 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-30 V, +30 V
Hossz:	15.75mm

További keresőfogalmak: 9208859, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, STMicroelectronics, STW12NK80Z

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 27 178,50*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 30 db (kezdő: HUF 905,95* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.