MOSFET, 2 elem/chip, 10 A, 20 V, 6-tüskés, WDFN Izolált Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-9211050

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
DMN2013UFX-7

EAN/GTIN:
5059043403625

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	10 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	20 V
Csomag típusa:	WDFN
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	6
Maximális nyelő forrásellenállás:	14 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	1.1V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	0.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	2,14 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség:	-8 V, +8 V
Hossz:	2.1mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C

További keresőfogalmak: 9211050, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, DMN2013UFX7

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 2 549,90*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 20 db (kezdő: HUF 127,495* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.