MOSFET, 1 elem/chip, 360 mA, 50 V, 6-tüskés, SOT-363 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-9211105

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
DMN53D0LDW-7

EAN/GTIN:
5059043303369

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	360 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség:	50 V
Csomag típusa:	SOT-363
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	6
Maximális nyelő forrásellenállás:	4,5 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	1.5V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	0.8V
Maximális teljesítménydisszipáció:	310 mW
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	2.2mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C

További keresőfogalmak: 9211105, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, DMN53D0LDW7

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 5 004,50*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 100 db (kezdő: HUF 50,045* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.