Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 

Tranzisztor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO268


Mennyiség:  db  
Termékinformációk
Tranzisztor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO268
Tranzisztor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO268
Cikkszám:
     745LG-IXBT10N170
Gyártó:
     IXYS
Gyártói szám:
     IXBT10N170
EAN/GTIN:
     nincs adat
Keresőfogalmak:
IGBT
Teljesítmény tranzisztor
SMD-tranzisztor
Tranzisztor
Gyártó: IXYS
Szerelés: SMD
Tokozás: TO268
kolektor - emitter feszültség: 1,7kV
Emitter - kapu feszültség: ±20V
Kollektoráram: 10A
Kollektoráram az impulzusban: 40A
Kapcsolási idő: 63ns
Kikapcsolási idő: 1,8µs
Tranzisztor típusa: IGBT
Teljesítmény elosztás: 140W
Fajta csomagolás: tubus
Félvezető elemek tulajdonságai: nagyfeszültségű
Kapu töltés: 30nC
Technológia: BiMOSFET™
További keresőfogalmak: teljesítmény tranzisztor
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 2 904,00*
  
Az ár 3 000 db-től érvényes
Részletes információk
Cikk megosztásaCikk hozzáadása a bevásárlólistához
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
1 db
HUF 4 832,00*
HUF 6 137,00
db-ként
kezdő: 2 db
HUF 4 792,00*
HUF 6 086,00
db-ként
kezdő: 3 db
HUF 4 225,00*
HUF 5 366,00
db-ként
kezdő: 5 db
HUF 4 106,00*
HUF 5 215,00
db-ként
kezdő: 10 db
HUF 3 543,00*
HUF 4 500,00
db-ként
kezdő: 20 db
HUF 3 493,00*
HUF 4 436,00
db-ként
kezdő: 3000 db
HUF 2 904,00*
HUF 3 688,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.