Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > Cikk

Tranzisztor: N-MOSFET; TrenchFET®; egysarkú; 200V; 39,6A; Idm: 80A


Mennyiség:  db  
Termékinformációk

Cikkszám:
     745LG-SIDR610DP-T1-GE3
Gyártó:
     Vishay
Gyártói szám:
     SIDR610DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     nincs adat
Keresőfogalmak:
Teljesítmény tranzisztor
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
SMD-tranzisztor
Gyártó: VISHAY
Szerelés: SMD
Drén - forrás feszültség: 200V
Drén áram: 39,6A
Ellenállás vezetési állapotban: 33,4mΩ
Tranzisztor típusa: N-MOSFET
Teljesítmény elosztás: 125W
Polaritás: egysarkú
Fajta csomagolás: szalag;tekercs
Kapu töltés: 38nC
Technológia: TrenchFET®
Fajta csatorna: nővelés
Kapu-forrás feszültség: ±20V
Impulzus drain áram: 80A
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 847,00*
  
Az ár 30 000 db-től érvényes
Megrendelések csak a 3 000 db többszöröseként
Részletes információk
Cikk megosztásaCikk hozzáadása a bevásárlólistához
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
kezdő: 3000 db
HUF 854,00*
HUF 1 085,00
db-ként
kezdő: 6000 db
HUF 852,00*
HUF 1 082,00
db-ként
kezdő: 15000 db
HUF 848,00*
HUF 1 077,00
db-ként
kezdő: 30000 db
HUF 847,00*
HUF 1 076,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.