Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 

Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 800V; 2,7A; Idm: 11A; 69W


Mennyiség:  db  
Termékinformációk

Cikkszám:
     745LG-SIHB4N80E-GE3
Gyártó:
     Vishay
Gyártói szám:
     SIHB4N80E-GE3
EAN/GTIN:
     nincs adat
Keresőfogalmak:
Teljesítmény-MOSFET
Teljesítmény tranzisztor
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
Gyártó: VISHAY
Szerelés: SMD
Tokozás: D2PAK;TO263
Drén - forrás feszültség: 800V
Drén áram: 2,7A
Ellenállás vezetési állapotban: 1,27Ω
Tranzisztor típusa: N-MOSFET
Teljesítmény elosztás: 69W
Polaritás: egysarkú
Fajta csomagolás: szalag;tekercs
Kapu töltés: 32nC
Fajta csatorna: nővelés
Kapu-forrás feszültség: ±30V
Impulzus drain áram: 11A
További keresőfogalmak: SMD-tranzisztor, teljesítmény tranzisztor
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 545,00*
  
Az ár 15 000 db-től érvényes
Részletes információk
Cikk megosztásaCikk hozzáadása a bevásárlólistához
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
1 db
HUF 1 137,00*
HUF 1 444,00
db-ként
kezdő: 5 db
HUF 1 004,00*
HUF 1 275,00
db-ként
kezdő: 10 db
HUF 966,00*
HUF 1 227,00
db-ként
kezdő: 20 db
HUF 952,00*
HUF 1 209,00
db-ként
kezdő: 25 db
HUF 824,00*
HUF 1 046,00
db-ként
kezdő: 50 db
HUF 765,00*
HUF 972,00
db-ként
kezdő: 100 db
HUF 656,00*
HUF 833,00
db-ként
kezdő: 500 db
HUF 650,00*
HUF 826,00
db-ként
kezdő: 15000 db
HUF 545,00*
HUF 692,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.