Unite

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

93%

ROHM RGW80TS65CHRC11 IGBT N-csatornás, 40 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247N 1 Közös emitter (1 ajánlat)

IGBT-k

ROHM Semiconductor

RGW80TS65CHRC11

HUF 3 408,00*
db-ként

93%

Infineon IKW50N65ES5XKSA1 IGBT N-csatornás, 80 A, 650 V, 30kHz, 3-tüskés, TO-247 1 Egyszeres (1 ajánlat)

Infineon TrenchStop IGBT tranzisztorok, 600 és 650V. Az IGBT tranzisztorok széles választéka az Infineon-től 600-as és 650V-os kollektorfeszültségszintekkel, TrenchStop™ technológiával. A termékská...

Infineon

IKW50N65ES5XKSA1

HUF 2 493,00*
db-ként

93%

Infineon IKW50N60H3FKSA1 IGBT N-csatornás, 100 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres (2 ajánlat)

Infineon

IKW50N60H3

HUF 2 318,00*
db-ként

93%

ROHM RGW00TS65HRC11 IGBT N-csatornás, 50 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247N 1 Közös emitter (1 ajánlat)

IGBT-k

ROHM Semiconductor

RGW00TS65HRC11

HUF 1 693,00*
db-ként

93%

ROHM RGW80TS65EHRC11 IGBT N-csatornás, 40 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247N 1 Közös emitter (1 ajánlat)

IGBT-k

ROHM Semiconductor

RGW80TS65EHRC11

HUF 1 876,00*
db-ként

93%

Infineon IKW75N65ES5XKSA1 IGBT N-csatornás, 80 A, 650 V, 30kHz, 3-tüskés, TO-247 1 Egyszeres (2 ajánlat)

Infineon

IKW75N65ES5XKSA1

HUF 2 333,00*
db-ként

93%

IXYS IXYT25N250CHV IGBT, 95 A, 2500 V, 3-tüskés, TO-268HV 1 Egyszeres (1 ajánlat)

Vékony lapkás XPT™ technológia Alacsony bekapcsolt állapotú feszültségek VCE(sat) Együtt csomagolt gyors visszaállású diódák A VCE(sat) pozitív hőmérsékleti együtthatója Nemzetközi szabvány szerint...

IXYS

IXYT25N250CHV

HUF 16 422,00*
db-ként

93%

ROHM RGW60TS65DHRC11 IGBT N-csatornás, 30 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247N 1 Közös emitter (1 ajánlat)

IGBT-k

ROHM Semiconductor

RGW60TS65DHRC11

HUF 1 513,00*
db-ként

93%

ROHM RGWX5TS65DHRC11 IGBT N-csatornás, 50 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247N 1 Közös emitter (1 ajánlat)

IGBT-k

ROHM Semiconductor

RGWX5TS65DHRC11

HUF 2 279,00*
db-ként

93%

Infineon IRGPS46160DPBF IGBT N-csatornás, 240 A, 600 V, 8 → 30kHz, 3-tüskés, Super-247 Egyszeres (1 ajánlat)

Egyetlen IGBT 21A-n keresztül, Infineon. A közepes frekvenciájú, gyors válaszidejű alkalmazásokhoz optimalizált IGBT-k a lehető legnagyobb hatékonysággal biztosítják a felhasználót. AZ IGBT legjobb...

Infineon

IRGPS46160DPBF

HUF 3 542,00*
db-ként

93%

onsemi FGH75T65SHDTL4 IGBT, 150 A, 650 V, 1MHz, 4-tüskés, TO-247 1 Egyszeres (2 ajánlat)

Az IGBT technológia új mezőleállító eleme, az IGBT 3. Generációjának új sorozata biztosítja az optimális teljesítményt a napinverter, a UPS, a hegesztő, a távközlés, az ESS és a PFC alkalmazások sz...

onsemi

FGH75T65SHDTL4

HUF 2 742,00*
db-ként

93%

ROHM RGW60TS65HRC11 IGBT N-csatornás, 30 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247N 1 Közös emitter (1 ajánlat)

IGBT-k

ROHM Semiconductor

RGW60TS65HRC11

HUF 1 282,00*
db-ként

93%

ROHM RGWX5TS65HRC11 IGBT N-csatornás, 50 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247N 1 Közös emitter (1 ajánlat)

IGBT-k

ROHM Semiconductor

RGWX5TS65HRC11

HUF 1 529,00*
db-ként

93%

onsemi NGTB25N120FL3WG IGBT N-csatornás, 100 A, 1200 V, 1MHz, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres (1 ajánlat)

On Semiconductor IGBT diszkrét. Szigetelt Gate bipoláris tranzisztorok (IGBT) motormeghajtókhoz és egyéb nagy áramerősségű kapcsolási alkalmazásokhoz.

onsemi

NGTB25N120FL3WG

HUF 2 597,00*
db-ként

93%

ROHM RGW80TS65DHRC11 IGBT N-csatornás, 40 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247N 1 Közös emitter (1 ajánlat)

Maximális folyamatos kollektoráram = 40 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Tranzisztorok száma = 1 Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa...

ROHM Semiconductor

RGW80TS65DHRC11

HUF 1 635,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 .. 293 előre

ibt (4 382 ajánlat 4 577 159 cikkből)