MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 200 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-193616

Gyártó:
IXYS

Gyártói szám:
IXFN140N20P

EAN/GTIN:
5059045925392

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	115 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	200 V
Csomag típusa:	SOT-227
Sorozat:	HiperFET, Polar
Rögzítés típusa:	Csavaros rögzítés
Tüskék száma:	4
Maximális nyelő forrásellenállás:	18 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	680 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	38.23mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C

További keresőfogalmak: 193616, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, IXYS, IXFN140N20P

Ajánlatok (2)

Raktárkészlet

Szállítás nettó

Sávos ár

Nettó ár

Raktár 4GUDN

HUF 1 500,00*

kezdő: HUF 8 575,00*

HUF 12 968,00*

2 munkanap

HUF 2 360,00*

kezdő: HUF 11 537,00*

HUF 15 464,00*

Árak: Raktár 4GUDN

Raktárkészlet: Raktár 4GUDN

Szállítás nettó: Raktár 4GUDN

Jelenítsen meg részletesebb raktárkészlet információt.

Visszaviteli jog ezen termékre: Raktár 4GUDN

Időszak:	21 napon belül
Csomagolási állapot:	Eredeti csomagolás nincs kinyitva, sérülés nélkül
Áru állapota:	használatlan
Visszaszállítási költség:	az ügyfél fizeti
Kezelési költség:	A költségeket az egyedi eset vizsgálata után a kereskedelmi partner állapítja meg.
Az ÁSZF szerinti szavatossági idő a megadott visszaviteli jogtól függetlenül változatlan marad.