Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 

STMicroelectronics STGWA30H65DFB2 IGBT, 50 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 1


Mennyiség:  db  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Cikkszám:
     4GUDN-2049878
Gyártó:
     ST Microelectronics
Gyártói szám:
     STGWA30H65DFB2
EAN/GTIN:
     nincs adat
Keresőfogalmak:
IGBT
Tranzisztor
A STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 sorozat a Advanced szabadalmaztatott Trench gate Field-stop szerkezet fejlődését képviseli. A HB2 sorozat teljesítményét a vezetés szempontjából optimalizáltuk, köszönhetően a jobb VCE(SAT) viselkedésnek alacsony áramértékek mellett, valamint a csökkentett kapcsolási energia tekintetében.Maximális csatlakozási hőmérséklet: TJ = 175 °C Alacsony VCE(SAT) = 1.65 V (jell.) @ IC = 30 A Nagyon gyors és lágy helyreállítás, együtt csomagolt dióda Minimális farokáram Szűk paraméterelosztás Alacsony hővezetési ellenállás
További információk:
Maximális folyamatos kollektoráram:
50 A
Maximális kollektor kibocsátó feszültség:
650 V
Maximális kapu kibocsátó feszültség:
±20V
Maximális teljesítménydisszipáció:
167 W
Tranzisztorok száma:
1
Csomag típusa:
TO-247
Tüskék száma:
3
További keresőfogalmak: 2049878, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, IGBT-k, STMicroelectronics, STGWA30H65DFB2
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
HUF 1 704,00*
  
Az ár 5 db-től érvényes
Megrendelések csak a 5 db többszöröseként
Részletes információk
Cikk megosztásaCikk hozzáadása a bevásárlólistához
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
kezdő: 5 db
HUF 1 704,00*
HUF 2 164,00
db-ként
kezdő: 10 db
HUF 1 361,00*
HUF 1 728,00
db-ként
kezdő: 25 db
HUF 1 293,00*
HUF 1 642,00
db-ként
kezdő: 50 db
HUF 1 264,00*
HUF 1 605,00
db-ként
kezdő: 100 db
HUF 1 221,00*
HUF 1 551,00
db-ként
kezdő: 15000 db
HUF 1 078,00*
HUF 1 369,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.