MOSFET, 1 elem/chip, 1.2 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si

N-csatornás MOSFET 12 V - 25 V, Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amelyek szinte bármilyen alaplap-elrendezéssel és hőtervezéssel kapcsolatos kihívással szembesülnek. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.