Nyitólap > Elektronika, elektrotechnika > Aktív komponensek > Egyenirányítók, diódák, tranzisztorok > Tranzisztor > Teljesítmény-MOSFET > Cikk

MOSFET, 1 elem/chip, 9.4 A, 100 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) HEXFET Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-5411613

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
IRFU120NPBF

EAN/GTIN:
5059045876236

Keresőfogalmak:

Teljesítmény-MOSFET
MOSFET
MOSFET-tranzisztor

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat megoldható. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	9.4 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	IPAK (TO-251)
Sorozat:	HEXFET
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	210 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	48 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	6.6mm

... > Félvezetők > Diszkrét félvezetők > MOSFET-ek

További keresőfogalmak: 5411613, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IRFU120NPBF

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 330,00*

Az ár 30 000 db-től érvényes

Részletes információk

Cikk megosztása

Cikk hozzáadása a bevásárlólistához

Sávos árak

Rendelési mennyiség	Nettó	Bruttó	Egység

1 db	HUF 544,00*	HUF 691,00	db-ként
kezdő: 5 db	HUF 535,00*	HUF 679,00	db-ként
kezdő: 10 db	HUF 480,00*	HUF 610,00	db-ként
kezdő: 25 db	HUF 475,00*	HUF 603,00	db-ként
kezdő: 50 db	HUF 429,00*	HUF 545,00	db-ként
kezdő: 100 db	HUF 406,00*	HUF 516,00	db-ként
kezdő: 200 db	HUF 394,00*	HUF 500,00	db-ként
kezdő: 30000 db	HUF 330,00*	HUF 419,00	db-ként