Nyitólap > Elektronika, elektrotechnika > Aktív komponensek > Egyenirányítók, diódák, tranzisztorok > Tranzisztor > Teljesítmény-MOSFET > Cikk

MOSFET, 1 elem/chip, 84 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-5411714

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
IRF1010EPBF

EAN/GTIN:
5059045910411

Keresőfogalmak:

Teljesítmény-MOSFET
MOSFET
MOSFET-tranzisztor

N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat megoldható. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	84 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	TO-220AB
Sorozat:	HEXFET
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	12 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	200 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	10.54mm

... > Félvezetők > Diszkrét félvezetők > MOSFET-ek

További keresőfogalmak: 5411714, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IRF1010EPBF

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 239,00*

Az ár 30 000 db-től érvényes

Részletes információk

Cikk megosztása

Cikk hozzáadása a bevásárlólistához

Sávos árak

Rendelési mennyiség	Nettó	Bruttó	Egység

1 db	HUF 673,00*	HUF 855,00	db-ként
kezdő: 10 db	HUF 585,00*	HUF 743,00	db-ként
kezdő: 50 db	HUF 509,00*	HUF 646,00	db-ként
kezdő: 100 db	HUF 452,00*	HUF 574,00	db-ként
kezdő: 200 db	HUF 441,00*	HUF 560,00	db-ként
kezdő: 250 db	HUF 284,00*	HUF 361,00	db-ként
kezdő: 30000 db	HUF 239,00*	HUF 304,00	db-ként