Nyitólap > Elektronika, elektrotechnika > Aktív komponensek > Egyenirányítók, diódák, tranzisztorok > Tranzisztor > Teljesítmény-MOSFET > Cikk

MOSFET, 1 elem/chip, 23 A, 150 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-5429226

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
IRF3315PBF

EAN/GTIN:
5059043939100

Keresőfogalmak:

Teljesítmény-MOSFET
MOSFET
MOSFET-tranzisztor

N-csatornás MOSFET 150V - 600 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amelyek szinte bármilyen alaplap-elrendezéssel és hőtervezéssel kapcsolatos kihívással szembesülnek. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	23 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	150 V
Csomag típusa:	TO-220AB
Sorozat:	HEXFET
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	70 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	94 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	10.54mm

... > Félvezetők > Diszkrét félvezetők > MOSFET-ek

További keresőfogalmak: 5429226, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IRF3315PBF

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 193,00*

Az ár 2 500 000 db-től érvényes

Részletes információk

Cikk megosztása

Cikk hozzáadása a bevásárlólistához

Sávos árak

Rendelési mennyiség	Nettó	Bruttó	Egység

1 db	HUF 287,00*	HUF 364,00	db-ként
kezdő: 50 db	HUF 259,00*	HUF 329,00	db-ként
kezdő: 100 db	HUF 252,00*	HUF 320,00	db-ként
kezdő: 500 db	HUF 231,00*	HUF 293,00	db-ként
kezdő: 1000 db	HUF 219,00*	HUF 278,00	db-ként
kezdő: 2500000 db	HUF 193,00*	HUF 245,00	db-ként