Nyitólap > Elektronika, elektrotechnika > Aktív komponensek > Egyenirányítók, diódák, tranzisztorok > Tranzisztor > Teljesítmény-MOSFET > Cikk

MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-5431229

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
IRL2910PBF

EAN/GTIN:
5059043940267

Keresőfogalmak:

Teljesítmény-MOSFET
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
mosfet 100 v to-220

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat megoldható. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	55 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	TO-220AB
Sorozat:	HEXFET
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	26 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	2V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	200 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-16 V, +16 V
Hossz:	10.54mm

... > Félvezetők > Diszkrét félvezetők > MOSFET-ek

További keresőfogalmak: mosfet to-220, 5431229, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IRL2910PBF

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 789,00*

Az ár 15 000 db-től érvényes

Részletes információk

Cikk megosztása

Cikk hozzáadása a bevásárlólistához

Sávos árak

Rendelési mennyiség	Nettó	Bruttó	Egység

1 db	HUF 1 050,00*	HUF 1 334,00	db-ként
kezdő: 10 db	HUF 1 015,00*	HUF 1 289,00	db-ként
kezdő: 20 db	HUF 968,00*	HUF 1 229,00	db-ként
kezdő: 50 db	HUF 922,00*	HUF 1 171,00	db-ként
kezdő: 100 db	HUF 902,00*	HUF 1 146,00	db-ként
kezdő: 15000 db	HUF 789,00*	HUF 1 002,00	db-ként