MOSFET, 1 elem/chip, 320 mA, 100 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-6697603

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
ZVN2110ASTZ

EAN/GTIN:
5059043959191

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	320 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	E-Line
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	4 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	2.4V
Maximális teljesítménydisszipáció:	700 mW
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	4.77mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 6697603, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, ZVN2110ASTZ

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 173,00*

Az ár 75 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 10 db többszöröseként

Sávos árak