Nyitólap > Elektronika, elektrotechnika > Aktív komponensek > Egyenirányítók, diódák, tranzisztorok > Tranzisztor > Teljesítmény-MOSFET > Cikk

MOSFET, 1 elem/chip, 83 A, 150 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-6886948

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
IRFB4228PBF

EAN/GTIN:
5059045587958

Keresőfogalmak:

Teljesítmény-MOSFET
MOSFET
MOSFET-tranzisztor

N-csatornás MOSFET 150V - 600 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amelyek szinte bármilyen alaplap-elrendezéssel és hőtervezéssel kapcsolatos kihívással szembesülnek. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	83 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	150 V
Csomag típusa:	TO-220AB
Sorozat:	HEXFET
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	15 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	5V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	3V
Maximális teljesítménydisszipáció:	330 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-30 V, +30 V
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C

... > Félvezetők > Diszkrét félvezetők > MOSFET-ek

További keresőfogalmak: 6886948, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IRFB4228PBF

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 571,00*

Az ár 15 000 db-től érvényes

Részletes információk

Cikk megosztása

Cikk hozzáadása a bevásárlólistához

Sávos árak

Rendelési mennyiség	Nettó	Bruttó	Egység

1 db	HUF 768,00*	HUF 975,00	db-ként
kezdő: 10 db	HUF 741,00*	HUF 941,00	db-ként
kezdő: 20 db	HUF 733,00*	HUF 931,00	db-ként
kezdő: 50 db	HUF 708,00*	HUF 899,00	db-ként
kezdő: 100 db	HUF 667,00*	HUF 847,00	db-ként
kezdő: 15000 db	HUF 571,00*	HUF 725,00	db-ként