MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 40 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7104736

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI4840BDY-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040976139

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	10 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	40 V
Csomag típusa:	SOIC
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	9 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1.56 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: teljesítmény tranzisztor, mosfet 40v, 7104736, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI4840BDYT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 153,00*

Az ár 75 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 5 db többszöröseként

Sávos árak