Nyitólap > Elektronika, elektrotechnika > Aktív komponensek > Egyenirányítók, diódák, tranzisztorok > Tranzisztor > Teljesítmény tranzisztor > Cikk

MOSFET, 2 elem/chip, 9,7 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Izolált Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8273903

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
IRF8313TRPBF

EAN/GTIN:
5059043894270

Keresőfogalmak:

Teljesítmény-MOSFET
Teljesítmény tranzisztor
MOSFET
MOSFET-tranzisztor

N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat megoldható. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	9,7 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	SOIC
Sorozat:	HEXFET
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	21.6 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	2.35V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1.35V
Maximális teljesítménydisszipáció:	2 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	5mm

... > Félvezetők > Diszkrét félvezetők > MOSFET-ek

További keresőfogalmak: teljesítmény tranzisztor, 8273903, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IRF8313TRPBF

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 92,00*

Az ár 150 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 20 db többszöröseként

Részletes információk

Cikk megosztása

Cikk hozzáadása a bevásárlólistához

Sávos árak

Rendelési mennyiség	Nettó	Bruttó	Egység

kezdő: 20 db	HUF 124,00*	HUF 157,00	db-ként
kezdő: 100 db	HUF 122,00*	HUF 155,00	db-ként
kezdő: 200 db	HUF 117,00*	HUF 149,00	db-ként
kezdő: 400 db	HUF 111,00*	HUF 141,00	db-ként
kezdő: 1000 db	HUF 108,00*	HUF 137,00	db-ként
kezdő: 150000 db	HUF 92,00*	HUF 117,00	db-ként