Tranzisztor: N-JFET; CoolGaN™; egysarkú; HEMT; 600V; 12,5A; Idm: 23A

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
745LG-IGT60R190D1SATMA1

Gyártói szám:
IGT60R190D1SATMA1

EAN/GTIN:
nincs adat

Figyelem!
A termék csak a raktárkészleten lévő mennyiségben vásárolható. Ettől nagyobb megrendelés esetén, a mennyiséget a rendelkezésre álló mennyiségre módosítjuk.

Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES
Szerelés: SMD
Tokozás: PG-HSOF-8-3
Kapuáram: 7,7mA
Drén - forrás feszültség: 600V
Drén áram: 12,5A
Ellenállás vezetési állapotban: 0,19Ω
Tranzisztor típusa: N-JFET
Teljesítmény elosztás: 55,5W
Polaritás: egysarkú
Fajta csomagolás: szalag
Kapu töltés: 3,2nC
Technológia: CoolGaN™
Fajta tranzisztor: HEMT
Fajta csatorna: nővelés
Kapu-forrás feszültség: -10V
Impulzus drain áram: 23A

kezdő: HUF 2 157,00*

kezdő: HUF 3 172,00*

Árak: Raktár 745LG

Rendelési mennyiség

Raktárkészlet: Raktár 745LG

Szállítás nettó: Raktár 745LG

Jelenítsen meg részletesebb raktárkészlet információt.

Visszaviteli jog ezen termékre: Raktár 745LG

Ezt a terméket nem lehet stornírozni, cserélni, sem visszatéríteni.
Az ÁSZF szerinti szavatossági idő a megadott visszaviteli jogtól függetlenül változatlan marad.