MOSFET-ek onsemi Diodes a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

SiC teljesítménymodul, 304 A, 1200 V, 36-tüskés, F2 SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 304 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F2 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 36 Maximális nyelő forr...

onsemi

NXH006P120MNF2PTG

kezdő: HUF 92 630,00*
db-ként

SiC teljesítménymodul, 304 A, 1200 V, 36-tüskés, F2 SiC (1 ajánlat)

The ON Semiconductor power module containing an 1200 V SiC MOSFET half−bridge and a thermistor in an F2 package. It is typically used in solar inverter, UPS, electrical vehicle charging stations an...

onsemi

NXH006P120MNF2PTG

kezdő: HUF 99 053,00*
db-ként

SiC teljesítménymodul, 154 A, 900 V, F1–2PACK (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 154 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt

onsemi

NXH010P90MNF1PTG

kezdő: HUF 1 392 661,30808*
28 db-ként

SiC teljesítménymodul, 154 A, 900 V, F1–2PACK (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 154 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt

onsemi

NXH010P90MNF1PTG

kezdő: HUF 46 871,00*
db-ként

SiC teljesítménymodul, 114 A, 1200 V, F1–2PACK (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt

onsemi

NXH010P120MNF1PTG

kezdő: HUF 1 552 081,89612*
28 db-ként

SiC teljesítménymodul, 114 A, 1200 V, F1–2PACK (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt

onsemi

NXH010P120MNF1PTG

kezdő: HUF 52 439,00*
db-ként

SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres SiC (2 ajánlat)

Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális teljesítménydisszipáció = 240 W Tranzisztorkonfiguráció = Egyszeres Tranzisztor anyaga = SiCmm Min. működési hőmérsé...

onsemi

FFSP3065A

kezdő: HUF 1 457,00*
db-ként

SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres SiC (1 ajánlat)

A félvezető diódánAz ON Semiconductor TO-220-2L szilíciumkarbid (SIC) Schottky dióda a legújabb termék, amely teljesen új technológiát alkalmaz, amely kiváló kapcsolási teljesítményt és megbízhatós...

onsemi

FFSP3065A

kezdő: HUF 2 917,70*
2 db-ként

Phoenix Contact MCDNV 1,5/ 5-G1-3,5 RNP14THR sorkapocs 5P Fekete (2 ajánlat)

Phoenix Contact

1952539

kezdő: HUF 878,00*
db-ként

ON Semiconductor NTMFS006N08MC (1 ajánlat)

A ON SEMICONDUCTOR Power Trench sorozatú 150V N-csatornás MV MOSFET Advanced eljárással készül, amely árnyékolt kapu technológiát tartalmaz. Ezt a folyamatot úgy optimalizálták, hogy minimalizálják...

onsemi

NTMFS006N08MC

kezdő: HUF 331,00*
db-ként

NTMJS1D4N06CLTWG (1 ajánlat)

A ON Semiconductor 60V N-csatornás MOSFET ipari teljesítménye 5x6 mm-es méretben kompakt és hatékony kivitelben, nagy hőteljesítménnyel, valamint a készülék ólommentes, és megfelel a RoHS előírások...

onsemi

NTMJS1D4N06CLTWG

kezdő: HUF 2 422,00*
db-ként

NTBLS0D7N06C (1 ajánlat)

A ON Semiconductor 60V N csatornás MOSFET alacsony minimális vezetési veszteséget okoz 0,75 m-rel, és alacsonyabb kapcsolási zajjal/EMI-vel is rendelkezik. Ezekben az eszközökben ólommentes, halogé...

onsemi

NTBLS0D7N06C

kezdő: HUF 2 905,00*
db-ként