Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (903 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
SiC teljesítménymodul, 75 A, 1200 V, ACEPACK 2 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = ACEPACK 2 Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető
ST Microelectronics
A2F12M12W2-F1
kezdő: HUF 1 365 179,40*
18 db-ként
 
 csomag
SiC teljesítménymodul, 75 A, 1200 V, ACEPACK 2 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = ACEPACK 2 Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető
ST Microelectronics
A2F12M12W2-F1
kezdő: HUF 76 131,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 75 A, 1200 V, ACEPACK 2 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = ACEPACK 2 Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető
ST Microelectronics
A2U12M12W2-F2
kezdő: HUF 1 377 341,60004*
18 db-ként
 
 csomag
SiC teljesítménymodul, 75 A, 1200 V, ACEPACK 2 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = ACEPACK 2 Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető
ST Microelectronics
A2U12M12W2-F2
kezdő: HUF 76 166,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 55 A, 1200 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH50N120-7 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = H2PAK-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő f...
ST Microelectronics
SCTH50N120-7
kezdő: HUF 15 908,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTWA35N65G2V SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V
kezdő: HUF 3 954,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTWA35N65G2V SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon card Power MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SIC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkívül alacsony ellenállású egysé...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V
kezdő: HUF 3 921,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT30N120H SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT30N120H
kezdő: HUF 5 606,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT30N120H SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
ST Microelectronics
SCT30N120H
kezdő: HUF 5 793,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 16 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari osztályú szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET-EK a V-ellenálláshoz képest igen kis mértékben eltérő teljesítményt és szórást is megadnak hőmérséklet. Nagyon magas üze...
ST Microelectronics
SCT20N120AG
kezdő: HUF 5 100,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 16 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 16 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
ST Microelectronics
SCT20N120AG
kezdő: HUF 4 655,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari osztályú szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET-EK a V-ellenálláshoz képest igen kis mértékben eltérő teljesítményt és szórást is megadnak hőmérséklet. Nagyon magas üze...
ST Microelectronics
SCT10N120AG
kezdő: HUF 3 027,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
ST Microelectronics
SCT10N120AG
kezdő: HUF 3 233,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT10N120H SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT10N120H
kezdő: HUF 2 188,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT10N120H SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT10N120H Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...
ST Microelectronics
SCT10N120H
kezdő: HUF 2 990,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   61   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.