MOSFET-ek Vishay a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (17/130 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 200 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFP9240PBF

kezdő: HUF 1 109,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 30 V, 6-tüskés, SOT-363 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SIA462DJ-T1-GE3

kezdő: HUF 57,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4178DY-T1-GE3

kezdő: HUF 85,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 6-tüskés, SC-70-6L TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

TrenchFET® Gen IV power MOSFET Nagyon kis RDS-Qg jósági tényező (FOM) A legkisebb RDS-Qoss tényezőhöz hangolva

Vishay

SiA106DJ-T1-GE3

kezdő: HUF 163,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 6-tüskés, SC-70-6L TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő forráse...

Vishay

SiA106DJ-T1-GE3

kezdő: HUF 1 599,10*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 600 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 E (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenáll...

Vishay

SIHH240N60E-T1-GE3

kezdő: HUF 670,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 600 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 E (1 ajánlat)

A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET PowerPAK 8 x 8 tokozású, egyszeres konfigurációjú.Negyedik generációs e sorozatú technológia Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (...

Vishay

SIHH240N60E-T1-GE3

kezdő: HUF 674,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12,3 A, 250 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 250 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximál...

Vishay

SiSS92DN-T1-GE3

kezdő: HUF 182,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12,3 A, 250 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (1 ajánlat)

N-csatornás 250 V (D-S) MOSFET.TrentchFET® a ThunFET technológiával optimalizálja az RDS(on), QG, QSW és Qoss értékek egyensúlyát Vezető szerep: RDS(on) és RDS-COSS FOM

Vishay

SiSS92DN-T1-GE3

kezdő: HUF 1 889,50*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12,7 A, 25 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 8 V - 25 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4116DY-T1-GE3

kezdő: HUF 420 985,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12.7 A, 25 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 8 V - 25 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4116DY-T1-GE3

kezdő: HUF 302,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SUM70040E-GE3

kezdő: HUF 581,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SUP70040E-GE3

kezdő: HUF 579,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, TrendFET akár Gen III, Vishay Semiconductor

Vishay

SUP50020E-GE3

kezdő: HUF 756,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 123 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat)

A Vishay Automotive N-csatornás, 40 V-os (D-S), 175 °C-os MOSFET PowerPAK SO-8L tokozású, 123 A-es elvezető árammal.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve

Vishay

SQJ152ELP-T1_GE3

kezdő: HUF 173,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 .. 130 előre

MOSFET-ek (1 945 cikk)