MOSFET-ek Vishay a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (78/130 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 8,1 A, 500 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHF840STRL-GE3

kezdő: HUF 5 057,50*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8,4 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) EF (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = EF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...

Vishay

SiHB186N60EF-GE3

kezdő: HUF 566,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8,4 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) EF (1 ajánlat)

A Fast Body diódával ellátott Vishay EF sorozatú teljesítmény MOSFET D2PAK (TO-263) tokozással rendelkezik.Negyedik generációs e sorozatú technológia Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony eff...

Vishay

SiHB186N60EF-GE3

kezdő: HUF 504,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8,4 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 EF (1 ajánlat)

A Fast Body diódával ellátott Vishay EF sorozatú teljesítmény MOSFET vékony ólomból 220 ULLPAK tokozású.Negyedik generációs e sorozatú technológia Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effekt...

Vishay

SiHA186N60EF-GE3

kezdő: HUF 639,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8,4 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 EF (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = EF Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0...

Vishay

SiHA186N60EF-GE3

kezdő: HUF 578,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8,4 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC EF (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = EF Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.168 Ω Maximális kapu küszöbfes...

Vishay

SiHG186N60EF-GE3

kezdő: HUF 615,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8,4 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC EF (1 ajánlat)

A Fast Body diódával ellátott Vishay EF sorozatú teljesítmény MOSFET TO-247AC tokozású.Negyedik generációs e sorozatú technológia Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Co(...

Vishay

SiHG186N60EF-GE3

kezdő: HUF 606,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8,5 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V - 90 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4850EY-T1-GE3

kezdő: HUF 181,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8,5 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V - 90 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4850EY-T1-GE3

kezdő: HUF 902 199,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8,5 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFB9N65APBF

kezdő: HUF 327,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8,7 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220AB D Series Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, D sorozatú, magas feszültségű, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHP8N50D-GE3

kezdő: HUF 259,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8,8 A, 100 V, 7-tüskés, SC-70-6L Szilikon (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SC-70-6L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = N...

Vishay

SIA112LDJ-T1-GE3

kezdő: HUF 139,00*
db-ként