Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (1 947 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 8.5 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFB9N65APBF
kezdő: HUF 728,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 SiR104LDP (2 ajánlat) 
A Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET nagyon alacsony RDS x QG értékű (FOM). A legalacsonyabb RDS x Qoss FOM értékre van hangolva.TenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET 100 % RG és UIS vizsgálat
Vishay
SiR104LDP-T1-RE3
kezdő: HUF 1 345,635*
5 db-ként
 
 csomagok
MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 SiR104LDP (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 81 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = SiR104LDP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SiR104LDP-T1-RE3
kezdő: HUF 299,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 SiR870BDP (2 ajánlat) 
A Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET nagyon alacsony RDS x QG értékű (FOM), és a legalacsonyabb RDS x Qoss FOM hangra van hangolva.TenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET 100 % RG és UIS vizsgálat
Vishay
SiR870BDP-T1-RE3
kezdő: HUF 1 026 018,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 SiR870BDP (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 81 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = SiR870BDP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SiR870BDP-T1-RE3
kezdő: HUF 359,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET® Gen IV (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 81 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET® Gen IV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyel...
Vishay
SiR104ADP-T1-RE3
kezdő: HUF 419,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET® Gen IV (1 ajánlat) 
A Vishay SiR104ADP-T1-RE3 egy N-csatornás 100 V (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon kis RDS-Qg jósági tényező (FOM) A legkisebb RDS-Qoss FOM-tényezőhöz hangolva 100 %-...
Vishay
SiR104ADP-T1-RE3
kezdő: HUF 346,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC SiDR104ADP (2 ajánlat) 
A Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET nagyon alacsony RDS x QG értékű (FOM). A legalacsonyabb RDS x Qoss FOM értékre van hangolva.TenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET 100 % RG és UIS vizsgálat
Vishay
SiDR104ADP-T1-RE3
kezdő: HUF 424,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 81 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC SiDR104ADP (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 81 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = SiDR104ADP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SiDR104ADP-T1-RE3
kezdő: HUF 462,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 81,2 A., 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 81,2 A. Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximál...
Vishay
SISS26LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 252,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 81,2 A., 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (1 ajánlat) 
N-csatornás 60 V-os (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték (FOM) Behangolva a legalacsonyabb RDS x Qoss FOM-ra
Vishay
SISS26LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 3 873,70*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 81.2 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 81.2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SIJA74DP-T1-GE3
kezdő: HUF 405 093,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 81.2 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 81.2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SIJA74DP-T1-GE3
kezdő: HUF 161,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 81.2 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 (2 ajánlat) 
A Vishay N-csatornás, 40 V-os (D-S), 150 °C-os MOSFET PowerPAK SO-8 tokozású.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET A legalacsonyabb RDS-Qoss FOM-re hangolva 100 % RG és UIS tesztelve A Qgd/Qgs arány...
Vishay
SiRA74DP-T1-GE3
kezdő: HUF 195,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 81.2 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 81.2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális n...
Vishay
SiRA74DP-T1-GE3
kezdő: HUF 168,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   71   72   73   74   75   76   77   78   79   80   81   ..   130   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.