MOSFET-ek onsemi a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (51/92 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 120 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...

onsemi

NDS0610

kezdő: HUF 46,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 180 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

onsemi

NDS0605

kezdő: HUF 18,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 20 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

NDP6020P

kezdő: HUF 216,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 340 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-23 PowerTrench Izolált Si (2 ajánlat)

PowerTrench® Dual P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesíti...

onsemi

NDC7003P

kezdő: HUF 57,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 510 mA, 50 V, 6-tüskés, SOT-23 Izolált Si (2 ajánlat)

A Dual Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű ...

onsemi

NDC7002N

kezdő: HUF 50,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 510 mA, 50 V, 6-tüskés, SOT-23 Izolált Si (1 ajánlat)

onsemi

NDC7002N

kezdő: HUF 471,50*
5 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 340 mA, 510 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-23 Izolált Si (2 ajánlat)

onsemi

NDC7001C

kezdő: HUF 68,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 340 mA, 510 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-23 Izolált Si (1 ajánlat)

onsemi

NDC7001C

kezdő: HUF 458,10*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Az NCV8406 három Terminal által védett, alacsony Oldali, intelligens Diszkrét eszköz. A védelmi funkciók közé tartozik a túláram, a túlhőmérséklet, az ESD és az integrált, A Túláram elleni védelmet...

onsemi

NCV8406BDTRKG

kezdő: HUF 606 263,00*
2 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyel...

onsemi

NCV8406BDTRKG

kezdő: HUF 21 380,10*
50 db-ként

AEC-Q100 MOSFET, 1 elem/chip, 24-tüskés, QFN24 Egyszeres SiC (1 ajánlat)

Az NCTV51705 meghajtó elsősorban a SiC MOSFET tranzisztorok meghajtására készült. A lehető legkisebb vezetési veszteség elérése érdekében a vezető a maximális megengedett kapufeszültséget a SiC MOS...

onsemi

NCV51705MNTWG

kezdő: HUF 657,00*
db-ként

AEC-Q100 MOSFET, 1 elem/chip, 24-tüskés, QFN24 Egyszeres SiC (1 ajánlat)

Csomag típusa = QFN24 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 24 Csatorna mód = Növekményes Tranzisztorkonfiguráció = Egyszeres Szélesség = 4.1mm Magasság = 0.85mm

onsemi

NCV51705MNTWG

kezdő: HUF 639,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 4 A, 8-tüskés, SOIC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Csomag típusa = SOIC Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Szélesség = 4mm Magasság = 1.5mm

onsemi

NCP81075DR2G

kezdő: HUF 338,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 4 A, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat)

Az NCP81075 egy nagy teljesítményű kettős MOSFET (magas oldal és alacsony oldal) kapumeghajtó IC, amelyet nagy feszültségű, nagy sebességű, meghajtó MOSFET-ekhez terveztek 180 V-ig. A NCP81075 egys...

onsemi

NCP81075DR2G

kezdő: HUF 3 816,70*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,1 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V on Semiconductor

onsemi

MVGSF1N03LT1G

kezdő: HUF 727,64*
5 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 .. 92 előre

MOSFET-ek (1 370 cikk)