Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (1 376 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
MOSFET, 2 elem/chip, 3,5 A, 3,9 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si (1 ajánlat) 
A Dual Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű ...
onsemi
SI4532DY
kezdő: HUF 185,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 8,8 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...
onsemi
SI4435DY
kezdő: HUF 117,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 70 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFP70N06
kezdő: HUF 465,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 70 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFP70N06
kezdő: HUF 429,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB MegaFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor. A MegaFET folyamat, amely az LSI integrált áramköreihez hasonló méretű jellemzőket használ, optimális szilíciumkihasználást eredményez, és kiemelkedő teljes...
onsemi
RFP50N06
kezdő: HUF 411,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB MegaFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor. A MegaFET folyamat, amely az LSI integrált áramköreihez hasonló méretű jellemzőket használ, optimális szilíciumkihasználást eredményez, és kiemelkedő teljes...
onsemi
RFP50N06
kezdő: HUF 338,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFP12N10L
kezdő: HUF 247,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFP12N10L
kezdő: HUF 15 945,30*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFD3055LESM9A
kezdő: HUF 96,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFD16N06LESM9A
kezdő: HUF 319,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MegaFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor. A MegaFET folyamat, amely az LSI integrált áramköreihez hasonló méretű jellemzőket használ, optimális szilíciumkihasználást eredményez, és kiemelkedő teljes...
onsemi
RFD16N05LSM9A
kezdő: HUF 191,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFD14N05SM9A
kezdő: HUF 156,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFD14N05LSM9A
kezdő: HUF 111,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFD14N05LSM
kezdő: HUF 146,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 50 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFD14N05L
kezdő: HUF 259,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   92   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.