Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (10 941 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
SiC teljesítménymodul, 114 A, 1200 V, F1–2PACK (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt
onsemi
NXH010P120MNF1PTG
kezdő: HUF 1 552 640,89624*
28 db-ként
 
 csomag
SiC teljesítménymodul, 114 A, 1200 V, F1–2PACK (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt
onsemi
NXH010P120MNF1PTG
kezdő: HUF 52 462,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 55 A, 1200 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH50N120-7 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = H2PAK-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő f...
ST Microelectronics
SCTH50N120-7
kezdő: HUF 15 913,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 50 A, 600 V, 3-tüskés, TO-268HV (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-268HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chip...
Littelfuse
IXFT60N60X3HV
kezdő: HUF 2 655,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 50 A, 600 V, 3-tüskés, TO-268HV (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-268HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chip...
Littelfuse
IXFT60N60X3HV
kezdő: HUF 2 995,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTWA35N65G2V SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V
kezdő: HUF 3 962,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTWA35N65G2V SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon card Power MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SIC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkívül alacsony ellenállású egysé...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V
kezdő: HUF 3 917,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT30N120H SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT30N120H
kezdő: HUF 5 587,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT30N120H SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
ST Microelectronics
SCT30N120H
kezdő: HUF 5 814,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 36 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek szám...
Littelfuse
IXFA36N60X3
kezdő: HUF 1 371,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 36 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek szám...
Littelfuse
IXFA36N60X3
kezdő: HUF 1 535,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres SiC (2 ajánlat) 
Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális teljesítménydisszipáció = 240 W Tranzisztorkonfiguráció = Egyszeres Tranzisztor anyaga = SiCmm Min. működési hőmérsé...
onsemi
FFSP3065A
kezdő: HUF 1 458,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres SiC (1 ajánlat) 
A félvezető diódánAz ON Semiconductor TO-220-2L szilíciumkarbid (SIC) Schottky dióda a legújabb termék, amely teljesen új technológiát alkalmaz, amely kiváló kapcsolási teljesítményt és megbízhatós...
onsemi
FFSP3065A
kezdő: HUF 2 918,70*
2 db-ként
 
 csomag
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 16 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari osztályú szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET-EK a V-ellenálláshoz képest igen kis mértékben eltérő teljesítményt és szórást is megadnak hőmérséklet. Nagyon magas üze...
ST Microelectronics
SCT20N120AG
kezdő: HUF 5 234,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 16 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 16 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
ST Microelectronics
SCT20N120AG
kezdő: HUF 4 652,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   730   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.