MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (17/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

Infineon IAUT240N08S5N019 tranzisztor 80 V (1 ajánlat)

Infineon

IAUT240N08S5N019ATMA1

kezdő: HUF 1 221 166,00*
2 000 db-ként

SiC teljesítménymodul, 154 A, 900 V, F1–2PACK (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 154 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt

onsemi

NXH010P90MNF1PTG

kezdő: HUF 1 219 108,20416*
28 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 80 V, 3-tüskés, M250 Egyszeres Si (1 ajánlat)

RF MOSFET tranzisztorok, STMicroelectronics. A rádiófrekvenciás tranzisztorok olyan LDMOS optikai érzékelők, amelyek 1 MHz és 2 GHz közötti alkalmazásokon L-sávú műholdfelcsatlakozásra és DMOS telj...

ST Microelectronics

LET9045F

kezdő: HUF 1 215 807,90*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 40 V, 8-tüskés, SOIC SQ Rugged Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, SQ Robusztus sorozat, Vishay Semiconductor

Vishay

SQ4401EY-T1-GE3

kezdő: HUF 1 212 365,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 92 A, 40 V, 8-tüskés, SOP Egyszeres (1 ajánlat)

Nagy hatékonyságú DC-DC átalakítók Kapcsolásifeszültség-szabályozók Motormeghajtók Nagysebességű kapcsolás Kis kaputöltés: QSW = 8,1 nC (jell.) Kis kimeneti töltés: Qoss = 20,2 nC (jell.) Alacsony ...

Toshiba

TPH3R704PL

kezdő: HUF 1 211 914,00*
5 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 37.2 A, 150 V, 8-tüskés, WDFN NTTFS Si (1 ajánlat)

A ON Semiconductor ipari teljesítményű MOSFET 3,3x3,3 mm-es lapos ólom tokozásban kompakt és hatékony kialakításhoz és a vezetési veszteség javulásához tervezték.Alacsony RDS(be) a vezetési vesztes...

onsemi

NTTFS022N15MC

kezdő: HUF 1 211 699,01*
3 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 111 A, 60 V, 8-tüskés, DFN NVMFD5C650NL (1 ajánlat)

Autóipari teljesítmény-MOSFET 5x6 mm méretű, laposvezetékes tokozásban, kompakt és hatékony kivitelezéshez, kiváló termikus teljesítménnyel. Nedvesíthető peremű opció is elérhető fejlett optikai vi...

onsemi

NVMFD5C650NLWFT1G

kezdő: HUF 1 209 992,01*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 198 A, 30 V, 8-tüskés, 1212-F Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 198 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = 1212-F Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növe...

Vishay

SISD5300DN-T1-GE3

kezdő: HUF 1 204 875,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 710 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) MDmesh M5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-channel MDmesh™ M5 sorozat STMicroelectronics. Az MDmesh M5 teljesítmény MOSFET-eket a nagy teljesítményű PFC és PWM topológiákra optimalizálták. A fő funkciók közé tartozik az egy szilíciumterül...

ST Microelectronics

STB38N65M5

kezdő: HUF 1 200 817,00*
1 000 db-ként

Infineon BSC019N04NS G tranzisztor 30 V (1 ajánlat)

Infineon

BSC019N04NSGATMA1

kezdő: HUF 1 198 752,00*
5 000 db-ként

Infineon IPD320N20N3 G tranzisztor 30 V (1 ajánlat)

Infineon

IPD320N20N3GATMA1

kezdő: HUF 1 196 436,00*
2 500 db-ként

Infineon IPG20N04S4L-07A tranzisztor 40 V (1 ajánlat)

Infineon

IPG20N04S4L07AATMA1

kezdő: HUF 1 196 055,00*
5 000 db-ként

MOSFET, 358 A, 1200 V, Tálca (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 358 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = Tálca Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés

ROHM Semiconductor

BSM400C12P3G202

kezdő: HUF 1 192 958,20*
4 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat)

Az ON Semiconductor vadonatúj, nagy feszültségű, „szuperkapcsolású”; (SJ) MOSFET-családjába tartozó SUPERFET III MOSFET a kiugróan kis bekapcsoláskori ellenállás és a kisebb kaputöltési teljesítmén...

onsemi

NVB072N65S3

kezdő: HUF 1 182 848,00*
800 db-ként

Infineon IRFH7084 tranzisztor 60 V (1 ajánlat)

Infineon

IRFH7084TRPBF

kezdő: HUF 1 181 935,00*
4 000 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 920 cikk)