diszkrét félvezetők a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (1 943/2 577 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 190 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK88 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 190 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = LFPAK88 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek száma chipe...

Nexperia

BUK7S2R0-40HJ

kezdő: HUF 470,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 2,7 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-323 DMN3061SW (1 ajánlat)

A DiodesZetex DMN3061SW sorozat N-csatornás MOSFET. Általános célú interfész kapcsolóban, energiagazdálkodási funkciókban és analóg kapcsolóban használják.Alacsony bemeneti kapacitás Gyors kapcsolá...

Diodes

DMN3061SW-7

kezdő: HUF 215 558,00*
10 000 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 2 A, 45 V, 3-tüskés, SOT-346T Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 45 V Csomag típusa = SOT-346T Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...

ROHM Semiconductor

RSR020P05HZGTL

kezdő: HUF 77,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 CoolMOS Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 19 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

Infineon

IPP60R120C7XKSA1

kezdő: HUF 1 099,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 190 mA, 100 V, Kiürítéses, 3-tüskés, SOT-23 BSS169I (1 ajánlat)

A Infineon BSS169I a kis jelszintű, kis teljesítményű N- és P-csatornás MOSFET-EK széles körű VGS(TH) szinteket és RDS(on) értékeket, valamint több feszültségosztályt biztosítanak. Ez a MOSFET bőví...

Infineon

BSS169IXTSA1

kezdő: HUF 29,00*
db-ként

100%

Infineon ISP12DP06NM tranzisztor 60 V (1 ajánlat)

Infineon

ISP12DP06NMXTSA1

kezdő: HUF 130 557,00*
1 000 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 2 A, 500 V, 3-tüskés, SOT-223 UniFET II (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 500 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...

onsemi

FDT4N50NZU

kezdő: HUF 255,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 NTP165N65S Si (1 ajánlat)

A ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET nagyfeszültségű szuper−junction (SJ) MOSFET családdal rendelkezik, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú−el...

onsemi

NTP165N65S3H

kezdő: HUF 1 175,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 190 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 190 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chip...

Infineon

ISP25DP06LMSATMA1

kezdő: HUF 177,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 800 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) E (1 ajánlat)

A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET IPAK (TO-251) tokozással rendelkezik.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Rendkívü...

Vishay

SIHU2N80AE-GE3

kezdő: HUF 155,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 2 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-346T Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-346T Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...

ROHM Semiconductor

RSR020N06HZGTL

kezdő: HUF 97,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 700 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) CoolMOS (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 19 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...

Infineon

IPB65R125CFD7ATMA1

kezdő: HUF 1 041,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 192 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 192 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek szá...

Infineon

IRF100S201

kezdő: HUF 686,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 2.7 A, 4.3 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 FP E (2 ajánlat)

A Vishay SiHA690N60E-G3 e sorozatú teljesítmény MOSFET.Negyedik generációs e-sorozatú technológia Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Lavinaenergia-...

Vishay

SiHA690N60E-GE3

kezdő: HUF 264,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 2 A, 65 V, 8-tüskés, SOIC TetraFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

RF MOSFET tranzisztorok, Semelab

Semelab

D2020UK

kezdő: HUF 799 613,90*
50 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 1941 1942 1943 1944 1945 1946 1947 1948 1949 1950 1951 .. 2577 előre

diszkrét félvezetők (38 648 ajánlat 4 002 231 cikkből)