diszkrét félvezetők a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (730/2 574 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 200 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFP250PBF

kezdő: HUF 37 626,90*
25 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 20 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI7615ADN-T1-GE3

kezdő: HUF 1 427,60*
10 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 3,2 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET (20 V), on Semiconductor

onsemi

NTR4501NT1G

kezdő: HUF 26,50*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 3,5 A, 30 V, 6-tüskés, SOT-343T, TUMT RRL035P03 Egyszeres (2 ajánlat)

A teljesítmény MOSFET-ek mikrofeldolgozási technológiával készülő, alacsony ellenállású eszközök, amelyek az alkalmazások széles körénél használható. Széles választék, amelyben kompakt típusok, nag...

ROHM Semiconductor

RRL035P03TR

kezdő: HUF 58,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 200 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 150V - 600 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokb...

Infineon

IRFP250NPBF

kezdő: HUF 16 363,40*
25 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 35 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8SH Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális...

Vishay

SiSH101DN-T1-GE3

kezdő: HUF 3 070,40*
25 db-ként

100%

Infineon BSS606N tranzisztor 100 V (2 ajánlat)

Infineon

BSS606NH6327XTSA1

kezdő: HUF 66,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 3,6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat)

Ultraalacsony RDS(on) a SOT-23 csomagban Advanced Trench Technology Jobb Rendszerhatékonyság Alkalmazások: Nagy teljesítményű tápkapcsoló Energiafelügyelet

onsemi

NTR3C21NZT1G

kezdő: HUF 5 436,00*
100 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Vishay

SISA10DN-T1-GE3

kezdő: HUF 339 624,00*
3 000 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB UltraFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

UlFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor. Az UItraFET® Árok MOSFET kombájn jellemzői, amelyek a teljesítményátalakítási alkalmazások teljesítményszintjét teszik lehetővé. A készülék képes ellenállni ...

onsemi

HUF75321P3

kezdő: HUF 2 069,10*
10 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 3,3 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 12 V - 25 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMG2305UX-13

kezdő: HUF 128 556,00*
10 000 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 3,6 A, 200 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFR9220TRPBF

kezdő: HUF 1 632,00*
5 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4164DY-T1-GE3

kezdő: HUF 176,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 TK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-csatornás, Toshiba sorozat, TK3x sorozat

Toshiba

TK35N65W,S1F(S

kezdő: HUF 1 236,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 3,4 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220F QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

QFET® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesít...

onsemi

FQPF5P20

kezdő: HUF 17 844,50*
50 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 721 722 723 724 725 726 727 728 729 730 731 .. 2574 előre

diszkrét félvezetők (38 609 ajánlat 4 189 256 cikkből)