diszkrét félvezetők a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (723/2 574 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 250 V, 8-tüskés, SOIC UltraFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

UlFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor. Az UItraFET® Árok MOSFET kombájn jellemzői, amelyek a teljesítményátalakítási alkalmazások teljesítményszintjét teszik lehetővé. A készülék képes ellenállni ...

onsemi

FDS2734

kezdő: HUF 319,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 3,4 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220F QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

QFET® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesít...

onsemi

FQPF5P20

kezdő: HUF 2 081,60*
10 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 31 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) IRFR5305PBF Egyszeres (1 ajánlat)

A Infineon IRFR5305 egy 55 V-os, P-csatornás HEXFET teljesítmény MOSFET D-Pak tokozásban. A D-Pak készüléket felületi szerelésre tervezték, gőzfázisú, infravörös vagy hullámforrasztó technikákkal.A...

Infineon

IRFR5305TRLPBF

kezdő: HUF 4 410,80*
20 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...

Infineon

IRLR2705TRPBF

kezdő: HUF 173 200,00*
2 000 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Taiwan Semiconductor, P-csatornás MOSFET

Taiwan Semiconductor

TSM2307CX RFG

kezdő: HUF 75,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 3,5 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-220FP MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STF5NK100Z

kezdő: HUF 581,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 31 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET 40 V - 55 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumoka...

Infineon

IRF5305PBF

kezdő: HUF 10 918,10*
50 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) EF Series Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET gyors diódával, EF sorozat, Vishay Semiconductor. Csökkentett Hátrameneti Helyreállítási Idő, Hátrameneti Helyreállítási Terhelés És Hátrameneti Helyreállítási Áram Alacsony érde...

Vishay

SiHB28N60EF-GE3

kezdő: HUF 2 998,40*
2 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-346 Egyszeres (1 ajánlat)

Alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás Kisméretű burkolat felületre szereléshez (TSMT3) Ólommentes vezetékbevonat, RoHS-konform

ROHM Semiconductor

RQ5E030AJTCL

kezdő: HUF 159,87*
5 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 3,5 A, 20 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat)

Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...

onsemi

FDS9431A

kezdő: HUF 127,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 31 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PN TK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-csatornás, Toshiba sorozat, TK3x sorozat

Toshiba

TK31J60W5,S1VQ(O

kezdő: HUF 602,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220FP MDmesh DM2 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel MDgmesh DM2 sorozat, STMicroelectronics. Az MDmesh DM2 MOSFET-ek alacsony RDS(on) funkcióval és A hatékonyság Érdekében Jobb fordított dióda-visszaállási idővel rendelkeznek, ez a sorozat...

ST Microelectronics

STF35N60DM2

kezdő: HUF 54 805,10*
50 db-ként

100%