Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  > IGBT modul

  IGBT modul  (1 595 ajánlat 4 260 193 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „IGBT modul“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"IGBT modul"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; IGBT félhíd; Urmax: 1,2kV (1 ajánlat) 
Gyártó: HUAJING Tokozás: V3 62MM Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 150A Kollektoráram az impulzusban: 350A Alkal...
HUAJING
HFGM150D12V3
kezdő: HUF 23 234,00*
db-ként
 
 db
Infineon FF450R33T3E3BPSA1 IGBT N-csatornás, 450 A, 3300 V, 3-tüskés, XHP 2 (1 ajánlat) 
A Infineon FF450R33T3E3 kettős IGBT modul nagy DC stabilitással és nagy rövidzárlati képességgel rendelkezik, nagy megbízhatósággal és hosszú élettartammal. Alacsony induktivitással rendelkezik, és...
Infineon
FF450R33T3E3BPSA1
kezdő: HUF 441 867,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; IGBT 3-fázisú híd; Ic: 75A (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: MiniSKiiP® 3 Teljesítmény: 22kW Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 75A Kollekto...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 37AC12T4V1 25231480
kezdő: HUF 81 149,00*
db-ként
 
 db
Infineon FF900R12ME7B11BOSA1 IGBT N-csatornás, 900 A, 1200 V, AG-ECONOD Közös emitter (1 ajánlat) 
A Infineon EconoDUAL™ 3 1200 V, 900 a kettős TRENCHSTOP™ IGBT7 modul emitter vezérlésű 7 diódával, NTC és PressFIT érintkezővel. Előre felvitt hőátadó anyaggal is kapható.Legnagyobb teljesítménysűr...
Infineon
FF900R12ME7B11BOSA1
kezdő: HUF 104 871,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; IGBT félhíd; Urmax: 1,7kV (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS2 Max ellenfeszültség: 1,7kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 75A Kollektoráram az impulzusban:...
SEMIKRON DANFOSS
SKM75GB176D 22890850
kezdő: HUF 27 674,00*
db-ként
 
 db
Infineon FP200R12N3T7BPSA1 IGBT N-csatornás, 200 A, 1200 V, 46-tüskés, Modul 7 3 fázisú (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 200 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Tranzisztorok száma = 7 Kiosztás = 3 fázisú Rögzítés típusa =...
Infineon
FP200R12N3T7BPSA1
kezdő: HUF 1 150 939,10*
10 db-ként
 
 csomag
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; IGBT félhíd; Urmax: 1,2kV (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS3 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 324A Kollektoráram az impulzusban...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GB12T4 22892070
kezdő: HUF 75 779,00*
db-ként
 
 db
Infineon FF600R12ME7B11BPSA1 IGBT-modul, 600 A, 1200 V, AG-ECONOD 2 Sorba kötött (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 600 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 20V Tranzisztorok száma = 2 Kiosztás = Kettős Rögzítés típusa = Sa...
Infineon
FF600R12ME7B11BPSA1
kezdő: HUF 89 908,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; IGBT félhíd; Urmax: 1,2kV (1 ajánlat) 
Gyártó: HUAJING Tokozás: V1 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 75A Kollektoráram az impulzusban: 200A Alkalmazás:...
HUAJING
HFGM75D12V1
kezdő: HUF 13 031,00*
db-ként
 
 db
Infineon FF600R12KE4EBOSA1 IGBT-modul N-csatornás, 600 A, 1200 V, 7-tüskés, 62 mm 2 Közös emitter (1 ajánlat) 
A Infineon C sorozatú IGBT modul adó vezérelt Ő dióda és gyors TRENCHSTOP IGBT4. A kollektor emitter feszültsége 1200 V, a kollektor árama 600 A. Elsősorban motorvezérlésben és meghajtásokban, nape...
Infineon
FF600R12KE4EBOSA1
kezdő: HUF 79 015,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; IGBT félhíd; Urmax: 1,2kV (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS2 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 75A Kollektoráram az impulzusban:...
SEMIKRON DANFOSS
SKM75GB12V 22892013
kezdő: HUF 25 669,00*
db-ként
 
 db
Infineon FF900R17ME7B11BPSA1 IGBT-modul, 900 A, 1700 V 2 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 900 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1700 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Tranzisztorok száma = 2
Infineon
FF900R17ME7B11BPSA1
kezdő: HUF 139 150,00*
db-ként
 
 db
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Szerelés: PCB Üzemi hőmérséklet: -25...85°C Tokozás: SEMIDRIVER Tápfeszültség: 14,4...15,6V DC Frekvencia: 0,1MHz Kimeneti áram: 8A Fajta kimenet: IGBT vezérlő Alkalmazás: ...
SEMIKRON DANFOSS
SKHI 10/17 R L5002256
kezdő: HUF 61 236,00*
db-ként
 
 db
Infineon FP25R12W1T7B11BPSA1 IGBT-modul N-csatornás, 25 A, 1200 V, EASY1B 7 (2 ajánlat) 
A Infineon EasyPIM háromfázisú, egyenirányító tápellátású IGBT modul TREBTOP IGBT7 technológiával. A kollektor emitter feszültsége 1200 V, és az előremeneti áram 25 A. Segédinverterben, motormeghaj...
Infineon
FP25R12W1T7B11BPSA1
kezdő: HUF 14 179,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; IGBT félhíd; Urmax: 1,2kV (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS3 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 160A Kollektoráram az impulzusban...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GB125D 22890620
kezdő: HUF 90 565,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   21   22   23   24   25   26   27   28   29   30   31   ..   107   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.