IGBT modul a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (21/107 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,7kV; Ic: 42A; SOT227B (1 ajánlat)

Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,7kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 42A Kollektoráram az impulzusban: 100A Alkalmazás: U...

IXYS

IXBN75N170A

kezdő: HUF 19 015,00*
db-ként

Infineon AIKQ120N60CTXKSA1 IGBT-modul N-csatornás, 2 V, 3-tüskés, PG-TO247-3 Egyszeres (1 ajánlat)

A Infineon IGBT TRENCHSTOP és Field stop technológiával rendelkezik a 600 V-os autóipari alkalmazásokhoz, nagyon szűk paraméter-eloszlást, nagyfokú robusztusságot, stabil hőmérsékletet és nagyon ma...

Infineon

AIKQ120N60CTXKSA1

kezdő: HUF 3 774,00*
db-ként

IGBT meghajtó modul NCV57090BDWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat)

Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 22V Tüskék száma = 8 Leesési idő = 13ns

onsemi

NCV57090BDWR2G

kezdő: HUF 704,00*
db-ként

Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 900V; Ic: 70A; SOT227B (2 ajánlat)

Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 900V Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 70A Kollektoráram az impulzusban: 340A Teljesítmény e...

IXYS

IXYN80N90C3H1

kezdő: HUF 12 208,00*
db-ként

IGBT meghajtó modul NCV57090CDWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat)

A ON Semiconductor NCD57090 egy−nagy áramerősségű egycsatornás IGBT/MOSFET kapu meghajtó 5 kVrms belső galvanikus leválasztással, amelyet nagy teljesítményű alkalmazások nagy rendszerhatékonyságára...

onsemi

NCV57090CDWR2G

kezdő: HUF 511,00*
db-ként

Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; IGBT 3-fázisú híd; Ic: 27A (1 ajánlat)

Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS6 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 27A Kollektoráram az impulzusban:...

SEMIKRON DANFOSS

SKM25GD125D 21918000

kezdő: HUF 53 283,00*
db-ként

Infineon F3L150R07W2H3B11BPSA1 IGBT-modul, 85 A, 650 V 4 (1 ajánlat)

Maximális folyamatos kollektoráram = 85 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Tranzisztorok száma = 4

Infineon

F3L150R07W2H3B11BPSA1

kezdő: HUF 24 864,00*
db-ként

Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,7kV; Ic: 775A (1 ajánlat)

Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS4 Max ellenfeszültség: 1,7kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 775A Kollektoráram az impulzusban: 34...

SEMIKRON DANFOSS

SKM600GA17E4 22895080

kezdő: HUF 81 110,00*
db-ként

Infineon DDB6U104N16RRBPSA1 IGBT-modul, AG-ECONO2B-211 (1 ajánlat)

Csomag típusa = AG-ECONO2B-211

Infineon

DDB6U104N16RRBPSA1

kezdő: HUF 469 657,30005*
15 db-ként

Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,7kV; Ic: 50A; SOT227B (1 ajánlat)

Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,7kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 50A Kollektoráram az impulzusban: 485A Teljesítmény ...

IXYS

IXYN50N170CV1

kezdő: HUF 19 304,00*
db-ként

IGBT meghajtó modul NCV57201DR2G, 1,9 A, 20V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat)

Kimeneti áramerősség = 1,9 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SOIC

onsemi

NCV57201DR2G

kezdő: HUF 434,00*
db-ként

Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; H híd; Urmax: 600V; Ic: 17A (1 ajánlat)

Gyártó: POWERSEM Tokozás: ECO-PAC 2 Max ellenfeszültség: 0,6kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 17A Kollektoráram az impulzusban: 30A Alka...

Powersem

PSHI 25/06

kezdő: HUF 6 823,00*
db-ként

IGBT meghajtó modul NCV57530DWKR2G PWM, 6,5 A, 20V, 14-tüskés, SOIC (1 ajánlat)

Logikai típus = PWM Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 14 Csomag típusa = SOIC

onsemi

NCV57530DWKR2G

kezdő: HUF 746,00*
db-ként

Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; IGBT 3-fázisú híd; Ic: 55A (1 ajánlat)

Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: MiniSKiiP® 2 Teljesítmény: 15kW Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 55A Kollekto...

SEMIKRON DANFOSS

SKIIP 25AC126V1 25230090

kezdő: HUF 32 539,00*
db-ként

Infineon F3L25R12W1T4B27BOMA1 IGBT-modul N-csatornás, 45 A, 1200 V, 13-tüskés, EASY1B 4 Sorba kötött (1 ajánlat)

A Infineon EasyPack 3 szintű, fázisos lábas IGBT modul Trench/Fieldstop IGBT4, NTC és PressFIT kontakt technológiával. A kollektor emitter feszültsége 1200 V. Elsősorban napelemalkalmazásokban hasz...

Infineon

F3L25R12W1T4B27BOMA1

kezdő: HUF 10 383,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 .. 107 előre

IGBT modul (1 594 ajánlat 4 214 797 cikkből)

"IGBT modul"