Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (2 317 ajánlat 4 260 199 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „IGBT“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"IGBT"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
onsemi FGY75T95LQDTOS IGBT, 950 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres (1 ajánlat) 
Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 950 V Maximális teljesítménydisszipáció = 453 W Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Tranzisztorkonfiguráció = Egyszeres...
onsemi
FGY75T95LQDT
kezdő: HUF 2 583,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1,17mJ; Eon: 2,36mJ (1 ajánlat) 
Gyártó: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Szerelés: THT Tokozás: TO247 kolektor - emitter feszültség: 650V Emitter - kapu feszültség: ±30V Kol.- emitt. feszültség telítettség: 1,95V Kollektoráram: 60A Ko...
Alpha & Omega Semiconductor
AOK60B65H2AL
kezdő: HUF 637,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGW00TS65DHRC11 IGBT N-csatornás, 50 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247N 1 Közös emitter (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 50 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 254 W Kiosztás = Egyszeres ...
ROHM Semiconductor
RGW00TS65DHRC11
kezdő: HUF 2 305,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; 900V; 35A; 290W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 900V Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 35A Kollektoráram az impulzusban: 105A Kapcsolási idő...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT35GA90B
kezdő: HUF 2 685,00*
db-ként
 
 db
onsemi NFAM0512L5BT IGBT N-csatornás, 5 A, 1200 V, 39-tüskés, DIP 6 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 5 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 16.5V Tranzisztorok száma = 6 Csomag típusa = DIP Csatorna típusa = ...
onsemi
NFAM0512L5BT
kezdő: HUF 8 132,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 150W; TO268 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: SMD Tokozás: TO268 kolektor - emitter feszültség: 1,7kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 10A Kollektoráram az impulzusban: 40A Kapcsolási idő: 43ns Kikapcsolási...
IXYS
IXBT16N170A
kezdő: HUF 4 296,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGSX5TS65EGC11 IGBT N-csatornás, 75 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247N 1 Közös emitter (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 75 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 404 W Kiosztás = Egyszeres ...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65EGC11
kezdő: HUF 2 562,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; BiMOSFET™; 1,6kV; 16A; 250W (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: ISOPLUS i4-pac™ x024c kolektor - emitter feszültség: 1,6kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 16A Kollektoráram az impulzusban: 40A Kapcsolási idő: 2...
IXYS
IXBF40N160
kezdő: HUF 7 138,00*
db-ként
 
 db
onsemi NFAQ0560R43T IGBT, 5 A, 600 V, DIP38 400 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 5 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 600 V Tranzisztorok száma = 400 Csomag típusa = DIP38
onsemi
NFAQ0560R43T
kezdő: HUF 2 510,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGW00TS65HRC11 IGBT N-csatornás, 50 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247N 1 Közös emitter (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 50 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Tranzisztorok száma = 1 Kiosztás = Egyszeres Rögzítés típusa = ...
ROHM Semiconductor
RGW00TS65HRC11
kezdő: HUF 1 740,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 150W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,7kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 10A Kollektoráram az impulzusban: 40A Kapcsolási idő: 43ns Kikapcsolá...
IXYS
IXBH16N170A
kezdő: HUF 4 230,00*
db-ként
 
 db
onsemi NFAQ0560R46T IGBT, 2,6 V, NFAQ (1 ajánlat) 
Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 2,6 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 600V Csomag típusa = NFAQ
onsemi
NFAQ0560R46T
kezdő: HUF 2 258,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 16A; 250W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,7kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 16A Kollektoráram az impulzusban: 120A Kapcsolási idő: 220ns Kikapcso...
IXYS
IXBH16N170
kezdő: HUF 4 107,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGSX5TS65HRC11 IGBT N-csatornás, 75 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247N 1 Közös emitter (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 75 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Tranzisztorok száma = 1 Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65HRC11
kezdő: HUF 2 344,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 150W; TO268HV (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: SMD Tokozás: TO268HV kolektor - emitter feszültség: 1,7kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 10A Kollektoráram az impulzusban: 40A Kapcsolási idő: 43ns Kikapcsolá...
IXYS
IXBT16N170AHV
kezdő: HUF 4 282,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   71   72   73   74   75   76   77   78   79   80   81   ..   155   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.