Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (2 256 ajánlat 4 141 130 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „IGBT“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"IGBT"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
onsemi optocsatoló, kimeneti eszk.: IGBT, MOSFET, 1 csatornás, felületre szerelhető, SOIC, 6 tüskés (1 ajánlat) 
FOD8342T - 8 mm Szivárgás és Hézagolási Távolság, valamint 0,4 mm Szigetelési Távolság A Megbízható és nagyfeszültségű Szigetelés Érdekében 3,0 A Peak kimenő Teljesítmény A közepes teljesítményű IG...
onsemi
FOD8342R2
kezdő: HUF 418 606,00*
1 000 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,2kV; 70A; 961W; TO264 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO264 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 70A Kollektoráram az impulzusban: 280A Kapcsolási idő:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT70GR120L
kezdő: HUF 4 994,00*
db-ként
 
 db
onsemi FGHL40T65MQDT IGBT, 60 A, 650 V, TO-247-3L 30 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 60 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 20V Maximális teljesítménydisszipáció = 238 W Csomag típusa = TO-247-3L
onsemi
FGHL40T65MQDT
kezdő: HUF 846,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; PT; 1,2kV; 54A; 625W; T-Max (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: T-Max kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 54A Kollektoráram az impulzusban: 170A Kapcsolási idő:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT45GP120B2DQ2G
kezdő: HUF 8 719,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGS30TSX2GC11 IGBT, 30 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 30 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 267 W Csomag típusa = TO-2...
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2GC11
kezdő: HUF 1 261,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™ (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: PLUS247™ kolektor - emitter feszültség: 650V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 70A Kollektoráram az impulzusban: 490A Kapcsolási idő: 65ns Kikapcsol...
IXYS
IXXR110N65B4H1
kezdő: HUF 4 198,00*
db-ként
 
 db
onsemi optocsatoló, kimeneti eszk.: IGBT, MOSFET, 1 csatornás, furatszerelt, PDIP, 8 tüskés (2 ajánlat) 
Magas zajvédettség 35 kV/μs minimális közös üzemmód elutasításával 2.5A Peak kimenő áram vezetési képesség a legtöbb 800V/20A IGBT esetén A P-csatorna MOSFET-ek használata a kimeneti fázisban lehet...
onsemi
FOD3120
kezdő: HUF 278,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 200W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 25A Kollektoráram az impulzusban: 50A Kapcsolási idő: 175ns Kikapcsol...
IXYS
IXDH20N120
kezdő: HUF 1 592,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGCL60TS60DGC13 IGBT, 48 A, 600 V, TO-247GE 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 48 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 600 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Tranzisztorok száma = 1 Csomag típusa = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL60TS60DGC13
kezdő: HUF 966,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,6kV; 25A; 300W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,6kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 25A Kollektoráram az impulzusban: 200A Kapcsolási idő: 283ns Kikapcso...
IXYS
IXGH25N160
kezdő: HUF 3 967,00*
db-ként
 
 db
onsemi FGHL50T65MQDTL4 IGBT, 80 A, 650 V, TO-247-4LD 30 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 80 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 20V Maximális teljesítménydisszipáció = 268 W Csomag típusa = TO-247...
onsemi
FGHL50T65MQDTL4
kezdő: HUF 501 781,8015*
450 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: IGBT; PT; 600V; 102A; 780W; T-Max (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: T-Max kolektor - emitter feszültség: 600V Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 102A Kollektoráram az impulzusban: 307A Kapcsolási idő:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT102GA60B2
kezdő: HUF 5 518,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGS50TSX2DGC11 IGBT, 50 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N 1 (1 ajánlat) 
A ROHM Field stop Trench IGBT-t elsősorban általános inverterben, szünetmentes tápegységben, PV inverterben és áramkondicionálóban használják. A teljesítményveszteség 395 Watts.Alacsony kollektor -...
ROHM Semiconductor
RGS50TSX2DGC11
kezdő: HUF 2 203,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,2kV; 18A; 250W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 18A Kollektoráram az impulzusban: 45A Kapcsolási idő...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT15GT120BRDQ1G
kezdő: HUF 2 141,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGCL60TS60GC13 IGBT, 48 A, 600 V, TO-247GE 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 48 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 600 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Tranzisztorok száma = 1 Csomag típusa = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL60TS60GC13
kezdő: HUF 842,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   91   92   93   94   95   96   97   98   99   100   101   ..   151   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.