Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (2 256 ajánlat 4 142 467 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „IGBT“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"IGBT"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
ROHM RGS30TSX2DHRC11 IGBT, 30 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N 1 (1 ajánlat) 
A ROHM Field stop Trench IGBT-t elsősorban általános inverterben, valamint autóipari és ipari felhasználásra használják. A teljesítményveszteség 267 Watts.Alacsony kollektor - emitter telítési fesz...
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2DHRC11
kezdő: HUF 1 853,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 625W; T-Max (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: T-Max kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 50A Kollektoráram az impulzusban: 150A Kapcsolási idő:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GT120B2RDQ2G
kezdő: HUF 6 722,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGS30TSX2GC11 IGBT, 30 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N 1 (1 ajánlat) 
A ROHM Field stop Trench IGBT elsősorban PFC, UPS, IH és Power CONDITIONER. A teljesítményveszteség 267 Watts.Alacsony kollektor - emitter telítési feszültség Rövidzárlat ellen idő 10μs RoHS megfel...
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2GC11
kezdő: HUF 1 362,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,7kV; 16A; 190W; TO268 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: SMD Tokozás: TO268 kolektor - emitter feszültség: 1,7kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 16A Kollektoráram az impulzusban: 80A Kapcsolási idő: 90ns Kikapcsolási...
IXYS
IXGT16N170
kezdő: HUF 3 258,00*
db-ként
 
 db
onsemi FGHL75T65MQDTL4 IGBT, 80 A, 650 V, TO-247-4LD 30 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 80 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 20V Maximális teljesítménydisszipáció = 375 W Csomag típusa = TO-247...
onsemi
FGHL75T65MQDTL4
kezdő: HUF 1 358,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; PT; 600V; 54A; 416W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 600V Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 54A Kollektoráram az impulzusban: 161A Kapcsolási idő...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT54GA60BD30
kezdő: HUF 2 915,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGSX5TS65EHRC11 IGBT N-csatornás, 75 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247N 1 Közös emitter (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 75 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 404 W Csomag típusa = TO-24...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65EHRC11
kezdő: HUF 2 589,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 625W; T-Max (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: T-Max kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 50A Kollektoráram az impulzusban: 150A Kapcsolási idő:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GT120B2RG
kezdő: HUF 6 181,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGS30TSX2HRC11 IGBT, 30 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 30 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 267 W Csomag típusa = TO-2...
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2HRC11
kezdő: HUF 1 426,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 694W; TO264 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO264 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 50A Kollektoráram az impulzusban: 150A Kapcsolási idő:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GT120LRDQ2G
kezdő: HUF 7 205,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGS50TSX2DGC11 IGBT, 50 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 50 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 395 W Csomag típusa = TO-2...
ROHM Semiconductor
RGS50TSX2DGC11
kezdő: HUF 2 223,00*
db-ként
 
 db
onsemi FGY75T95LQDT IGBT, 950 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres (1 ajánlat) 
Ágrendszer 4. Generációs Low Vcesat IGBT Co−, teljes áramú névleges diódával csomagolvapn-átmenet maximális hőmérséklete: TJ = 175℃ Pozitív hőmérsékleti együttható az egyszerű párhuzamos működtetés...
onsemi
FGY75T95LQDT
kezdő: HUF 73 239,4002*
30 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 600V Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 68A Kollektoráram az impulzusban: 202A Kapcsolási idő...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT68GA60B
kezdő: HUF 3 073,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGT00TS65DGC13 IGBT, 85, 650 V, TO-247GE 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 85 Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 2,77 mW Csomag típusa = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGT00TS65DGC13
kezdő: HUF 1 407,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 694W; TO264 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO264 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 50A Kollektoráram az impulzusban: 200A Kapcsolási idő:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GR120L
kezdő: HUF 4 007,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   101   102   103   104   105   106   107   108   109   110   111   ..   151   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.