mosfet 200v kedvezően vásárolni a Mercateonál (14/25 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 9,3 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 150V - 600 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokb...

Infineon

IRF630NSTRLPBF

kezdő: HUF 162,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9,3 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRF630NSTRLPBF

kezdő: HUF 2 888,904*
16 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 850 mA, 200 V, 3-tüskés, SOT-223 QFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

QFET® N-csatornás MOSFET, max. 5,9 A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működ...

onsemi

FQT4N20LTF

kezdő: HUF 92,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9,5 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220F QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

QFET® N-csatornás MOSFET, 6A - 10.9A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működ...

onsemi

FQPF10N20C

kezdő: HUF 14 840,40*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 84 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS FD Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™ FD Power MOSFET

Infineon

IPB117N20NFDATMA1

kezdő: HUF 1 109 037,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 88 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

Infineon

IPB107N20N3 G

kezdő: HUF 1 925,00*
db-ként

Infineon IPB107N20N3 G tranzisztor 25 V (1 ajánlat)

Infineon

IPB107N20N3GATMA1

kezdő: HUF 1 531 939,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 200 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) QFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

onsemi

FQD12N20LTM

kezdő: HUF 112,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

IRF630

kezdő: HUF 13 285,80*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9,3 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

Infineon

IRF630NPBF

kezdő: HUF 173,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 960 mA, 200 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFL210TRPBF

kezdő: HUF 130,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9,9 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRLI640GPBF

kezdő: HUF 295,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 94 A, 200 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRFP90N20DPBF

kezdő: HUF 21 317,40*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 96 A, 200 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH96N20P

kezdő: HUF 2 034,00*
db-ként

IC: driver; IGBT félhíd,MOSFET félhíd; SO8; -500÷250mA; 10÷20VDC (1 ajánlat)

Gyártó: ONSEMI Szerelés: SMD Üzemi hőmérséklet: -40...125°C Tokozás: SO8 Tápfeszültség: 10...20V DC Kimeneti áram: -500...250mA Az integrált áramkör típusa: driver Impulzus növekedési idő: 160ns Im...

onsemi

NCP5109ADR2G

kezdő: HUF 222,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 .. 25 előre

mosfet 200v (375 szűrt ajánlat 4 235 706 cikkből)

"MOSFET"