Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET-tranzisztor

  MOSFET-tranzisztor  (21 079 ajánlat 4 369 843 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „MOSFET-tranzisztor“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"MOSFET-tranzisztor"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 550V; 7,5A; 35W; TO220FP (1 ajánlat) 
Gyártó: STMicroelectronics Szerelés: THT Tokozás: TO220FP Drén - forrás feszültség: 550V Drén áram: 7,5A Ellenállás vezetési állapotban: 0,35Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 35...
ST Microelectronics
STP12NM50FP
kezdő: HUF 537,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 225 A, 100 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 225 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SIJH112E-T1-GE3
kezdő: HUF 775,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 225 A, 100 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 225 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...
Vishay
SIRS5100DP-T1-GE3
kezdő: HUF 2 593 992,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 55V; 200A; 360W; TO263; 49ns (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: SMD Tokozás: TO263 Újraéledési idő: 49ns Drén - forrás feszültség: 55V Drén áram: 200A Ellenállás vezetési állapotban: 4,2mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztá...
IXYS
IXTA200N055T2
kezdő: HUF 792,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 NTP125N Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET nagyfeszültségű szuper−junction (SJ) MOSFET családdal rendelkezik, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú−el...
onsemi
NTP125N65S3H
kezdő: HUF 1 437,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 0,98A; 36W; DPAK,TO252 (1 ajánlat) 
Gyártó: VISHAY Szerelés: SMD Tokozás: DPAK;TO252 Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 0,98A Ellenállás vezetési állapotban: 7Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 36W Polaritás...
Vishay
SIHFR1N60A-GE3
kezdő: HUF 204,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 55V; 1,7A; 800mW; SOT23 (1 ajánlat) 
Gyártó: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Szerelés: SMD Tokozás: SOT23 Drén - forrás feszültség: 55V Drén áram: 1,7A Ellenállás vezetési állapotban: 0,2Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztá...
Alpha & Omega Semiconductor
AO3422
kezdő: HUF 24,80*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 225 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 225 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1
Infineon
IMW120R007M1HXKSA1
kezdő: HUF 20 728,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 225 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 225 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Elemek száma chipenként...
Infineon
IMZA120R007M1HXKSA1
kezdő: HUF 20 553,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO220AB Újraéledési idő: 60ns Drén - forrás feszültség: 55V Drén áram: 260A Ellenállás vezetési állapotban: 3,3mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosz...
IXYS
IXTP260N055T2
kezdő: HUF 1 318,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 24 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...
Infineon
IMW65R083M1HXKSA1
kezdő: HUF 2 220,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 1,3A; 42W; DPAK,TO252 (1 ajánlat) 
Gyártó: VISHAY Szerelés: SMD Tokozás: DPAK;TO252 Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 1,3A Ellenállás vezetési állapotban: 4,4Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 42W Polaritá...
Vishay
IRFRC20TRPBF
kezdő: HUF 167,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 230 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 SIPMOS® Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Infineon SIGMOS® N-Channel MOSFET-ek
Infineon
BSS138NH6327
kezdő: HUF 55 986,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 226 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L P-Channel 40 V (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 226 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = P-Channel 40 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő f...
Vishay
SQJQ141EL-T1_GE3
kezdő: HUF 712,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 226 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L P-Channel 40 V (1 ajánlat) 
A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve Vékony...
Vishay
SQJQ141EL-T1_GE3
kezdő: HUF 607,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   671   672   673   674   675   676   677   678   679   680   681   ..   1406   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.